文章编号：2334 / 分类：技术教程 / 更新时间：2024-04-25 10:04:46 / 浏览：次
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秒收录4 月 19 日消息，英特尔今日宣布其已在位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的 Fab D1X 研发晶圆厂完成世界首台商用 High NA（0.55NA） EUV 光刻机的组装工作，目前已进入光学系统校准阶段。

这台光刻机型号 TWINSCAN EXE:5000，为 ASML 的首代 High NA EUV 光刻机，价值约 3.5 亿美元（秒收录备注：当前约 25.38 亿元人民币）。

就在不久前 ASML 宣布其在荷兰埃因霍温总部的另一台 High NA EUV 光刻机成功绘制了 10nm 线宽的密集线图案。

英特尔表示 High-NA EUV 光刻机可拥有 1.7 倍于目前 0.33NA EUV 光刻机的一维密度，这意味着 在二维尺度上可实现 190% 的密度提升 。

采用 High-NA EUV 光刻机，可以更精细的尺度制造生产半导体，继续推动摩尔定律。

英特尔计划从 2025 年的 18A 新技术验证节点开始，在先进芯片开发和制造中同时使用 0.55NA 和 0.33NA 的 EUV 光刻机。

此外英特尔还计划购买下一代 TWINSCAN EXE:5200B 光刻机，新机型晶圆吞吐量超过每小时 200 片。

不过根据秒收录此前报道，ASML 在 2021 年时对后 EXE:5000 产品的称呼是 EXE:5200。暂不清楚 EXE:5200B 是 EXE:5200 的改名还是改进型号。

相关标签： 英特尔、 光刻机、 High、 NA、

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